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参数资料
| 型号： | NTB75N03RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1333pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTB75N03RT4OS |
NTB75N03R, NTP75N03R
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK
CASE 418B?04
ISSUE J
C
NOTES:
?B?
4
E
V
W
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B?01 THRU 418B?03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B?04.
INCHES
MILLIMETERS
DIM
MIN MAX
MIN MAX
A
A
0.340 0.380
8.64 9.65
1
2
3
S
B
C
0.380 0.405
0.160 0.190
9.65 10.29
4.06 4.83
D
E
0.020 0.035
0.045 0.055
0.51 0.89
1.14 1.40
?T?
SEATING
PLANE
G
D
3 PL
0.13 (0.005)
M
T B
M
K
H
J
W
F
G
H
J
K
L
M
N
P
0.310 0.350
0.100 BSC
0.080 0.110
0.018 0.025
0.090 0.110
0.052 0.072
0.280 0.320
0.197 REF
0.079 REF
7.87 8.89
2.54 BSC
2.03 2.79
0.46 0.64
2.29 2.79
1.32 1.83
7.11 8.13
5.00 REF
2.00 REF
R
0.039 REF
0.99 REF
VARIABLE
CONFIGURATION
S
V
0.575 0.625
0.045 0.055
14.60 15.88
1.14 1.40
ZONE
R
N
U
P
M
F
VIEW W?W
1
L
M
F
VIEW W?W
2
L
M
F
VIEW W?W
3
L
SOLDERING FOOTPRINT*
8.38
0.33
10.66
0.42
17.02
0.67
1.016
0.04
3.05
0.12
SCALE 3:1
5.08
0.20
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB75N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| NTD15N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK |
| NTD15N06T4 | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK |
| NTD18N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| NTB75N03-06T4 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB75N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06 | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06G | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTB75N06L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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