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参数资料
| 型号： | NTB90N02 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB90N02, NTP90N02
100
90
80
70
60
50
40
9V
8V
6.5 V
4.4 V
4.6 V
4.8 V
5V
5.2 V
6V
T J = 25 ° C
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
V DS ≥ 24 V
T J = 25 ° C
30
20
10
3.4 V
3.2 V
V GS = 3.0 V
50
40
30
20
10
T J = 125 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
2
3
4
5
6
0.07
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.015
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.06
0.05
0.04
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.01
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.03
0.02
0.01
0
0.005
0
V GS = 10 V
0
2
4
6
8
10
55
60
65
70
75
80
85
90
0.015
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?To?Source Voltage
1000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
0.0125
0.001
I D = 90 A
V DS = 4.5 V
100
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
10
0.0075
I D = 10 A
1
0.005
0.0025
V DS = 10 V
0.1
T J = 25 ° C
0
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 403C35D16M00000 | CRYSTAL 16.0 MHZ 18 PF SMD |
| B82734R2262B30 | D CORE DBL CHOKE 10MH 2.6A VERT |
| NTB85N03G | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK |
| NTB85N03 | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK |
| NTB75N06LT4G | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB90N02_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts |
| NTB90N02G | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB90N02T4 | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB90N02T4G | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTBA104 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state |
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