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参数资料
| 型号： | NTB90N02 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB90N02, NTP90N02
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK
CASE 418AA?01
ISSUE O
?B?
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
4
E
V
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
W
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
1
2
3
S
A
B
0.340 0.380
0.380 0.405
8.64 9.65
9.65 10.29
A
C
D
0.160 0.190
0.020 0.036
4.06 4.83
0.51 0.92
?T?
SEATING
PLANE
G
E
F
G
J
0.045 0.055
0.310 ???
0.100 BSC
0.018 0.025
1.14 1.40
7.87 ???
2.54 BSC
0.46 0.64
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T B
M
K
J
W
K
M
S
V
0.090 0.110
0.280 ???
0.575 0.625
0.045 0.055
2.29 2.79
7.11 ???
14.60 15.88
1.14 1.40
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
U
STYLE 2:
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
M
F
VIEW W?W
1
M
F
VIEW W?W
2
M
F
VIEW W?W
3
SOLDERING FOOTPRINT*
8.38
0.33
10.66
0.42
17.02
0.67
1.016
0.04
3.05
0.12
SCALE 3:1
5.08
0.20
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
|---|---|
| 403C35D16M00000 | CRYSTAL 16.0 MHZ 18 PF SMD |
| B82734R2262B30 | D CORE DBL CHOKE 10MH 2.6A VERT |
| NTB85N03G | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK |
| NTB85N03 | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB90N02_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts |
| NTB90N02G | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB90N02T4 | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB90N02T4G | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTBA104 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state |
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