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参数资料
| 型号： | NTB90N02 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB90N02, NTP90N02
PACKAGE DIMENSIONS
TO?220
CASE 221A?09
ISSUE AA
H
Q
Z
L
V
G
B
4
1 2 3
N
D
A
K
F
T
U
S
R
J
C
?T?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.570 0.620 14.48 15.75
B 0.380 0.405 9.66 10.28
C 0.160 0.190 4.07 4.82
D 0.025 0.035 0.64 0.88
F 0.142 0.147 3.61 3.73
G 0.095 0.105 2.42 2.66
H 0.110 0.155 2.80 3.93
J 0.018 0.025 0.46 0.64
K 0.500 0.562 12.70 14.27
L 0.045 0.060 1.15 1.52
N 0.190 0.210 4.83 5.33
Q 0.100 0.120 2.54 3.04
R 0.080 0.110 2.04 2.79
S 0.045 0.055 1.15 1.39
T 0.235 0.255 5.97 6.47
U 0.000 0.050 0.00 1.27
V 0.045 ??? 1.15 ???
Z ??? 0.080 ??? 2.04
http://onsemi.com
7
STYLE 5:
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 403C35D16M00000 | CRYSTAL 16.0 MHZ 18 PF SMD |
| B82734R2262B30 | D CORE DBL CHOKE 10MH 2.6A VERT |
| NTB85N03G | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK |
| NTB85N03 | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK |
| NTB75N06LT4G | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB90N02_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts |
| NTB90N02G | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB90N02T4 | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB90N02T4G | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTBA104 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state |
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