参数资料
型号: NTD18N06
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
产品变化通告: Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装: 75
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 710pF @ 25V
功率 - 最大: 55W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 管件
NTD18N06
ORDERING INFORMATION
NTD18N06
NTD18N06G
NTD18N06 ? 1
NTD18N06 ? 1G
NTD18N06T4
NTD18N06T4G
Device
Package
DPAK
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK ? 3
DPAK ? 3
(Pb ? Free)
DPAK
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
75 Units/Rail
75 Units/Rail
75 Units/Rail
75 Units/Rail
2500 Tape & Reel
2500 Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
7
相关PDF资料
PDF描述
ASFLM1-11.0592MHZ-L-C-T OSC MEMS 11.0592 MHZ 3.0V SMD
NTD12N10G MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
ASA2-85.909089MHZ-L-T3 OSC 85.909089 MHZ 1.8V SMD
NTD12N10-1G MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
ASFLM1-10.000MHZ-L-C-T OSC MEMS 10.000 MHZ 3.0V SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
NTD18N06-001 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD18N06-1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA
NTD18N06-1G 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD18N06G 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD18N06G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET