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参数资料
| 型号： | NTD18N06T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD18N06T4GOS |
NTD18N06
40
40
V GS = 10 V
7V
V DS ≥ 10 V
30
20
9V
8V
6.5 V
6V
30
20
5.5 V
10
5V
10
T J = 25 ° C
0
0
1
2
3
4
0
3
T J = 100 ° C
3.8
4.6
T J = ? 55 ° C
5.4
6.2
7
7.8
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 15 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
10
20
30
40
0
0
10
20
30
40
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
I D = 9 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.6
1.4
1.2
100
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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