参数资料
型号: NTD18N06T4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
产品变化通告: Product Obsolescence 08/Apr/2011
标准包装: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 710pF @ 25V
功率 - 最大: 55W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NTD18N06T4GOS
NTD18N06
ORDERING INFORMATION
NTD18N06
NTD18N06G
NTD18N06 ? 1
NTD18N06 ? 1G
NTD18N06T4
NTD18N06T4G
Device
Package
DPAK
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK ? 3
DPAK ? 3
(Pb ? Free)
DPAK
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
75 Units/Rail
75 Units/Rail
75 Units/Rail
75 Units/Rail
2500 Tape & Reel
2500 Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
7
相关PDF资料
PDF描述
NTD20N03L27-001 MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
NTD20N06-001 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD20N06L-001 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD20P06L-001 MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
NTD23N03R-1G MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
相关代理商/技术参数
参数描述
NTD20 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD20N03L27 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N03L27/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 20 Amps, 30 Volts
NTD20N03L27-001 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N03L27-1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET