- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189272 > NTD20N06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTD20N06-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五（巴西）直| 20A条（丁）|对251AA |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | NTD20N06-1 |
NTD20N03L27
http://onsemi.com
4
4
350
300
200
250
150
100
0
8
4
10
2
6
0
12
14
10
1500
8
2
4
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate–to–Source and
Drain–to–Source Voltage vs. Total Charge
V
GS
,GA
TE–T
O–SOURCE
VOL
T
AGE
(V)
1
1000
100
10
1
100
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
RG, GATE RESISTANCE ()
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
VSD, SOURCE–TO–DRAIN VOLTAGE (V)
I S
,SOURCE
CURRENT
(AMPS)
t,
TIME
(ns)
Figure 11. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E
AS
,SINGLE
PULSE
DRAIN–T
O–SOURCE
A
V
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
2500
25
125
100
75
50
150
06
14
0.0
0.4
0.5
0.3
0.2
0.6
0.1
1.0
10
16
8
12
0
18
20
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (V)
500
1000
200
14
25
8
6
2
0
6
10 12
16 18 20 23
2
4
8
10
12
6
4
2
0.7
0.8
0.9
50
VGS – VDS
Ciss
Coss
Crss
Q1
Q2
Q
ID = 20 A
TJ = 25°C
VGS
VDS = 20 V
ID = 20 A
VGS = 5.0 V
TJ = 25°C
tr
tf
td(off)
td(on)
VGS = 0 V
TJ = 25°C
ID = 24 A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD24N06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-252AA |
| NTE0503M-R | Analog IC |
| NTE0505MC-R | 1-OUTPUT 1 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| NTE1215MC-R | 1-OUTPUT 1 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| NTE1012 | Analog IC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD20N06-1G | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20N06G | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTD20N06L | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20N06L-001 | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。