- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录487 > NTD30N02T4 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 24V 30A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTD30N02T4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 31/Mar/2005 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD30N02T4OS |
NTD30N02
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage (Note 3)
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 24 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
24
?
?
?
?
?
26.5
25.5
?
?
?
?
?
?
0.8
1.0
10
± 100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage (Note 3)
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance (Note 3)
(V GS = 10 Vdc, I D = 30 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 20 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 15 Adc)
Forward Transconductance (Note 3) (V DS = 10 Vdc, I D = 15 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
g FS
1.0
?
?
?
?
?
2.1
? 4.1
?
11.2
20
20
3.0
?
14.5
14.5
24
?
Vdc
mV/ ° C
m W
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
1000
?
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
425
175
?
?
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
7.0
15
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 20 Vdc, I D = 30 Adc,
V GS = 10 Vdc, R G = 2.5 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
28
22
12
55
35
20
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
12.5
?
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 20 Vdc, I D = 15 Adc,
V GS = 4.5 Vdc, R G = 2.5 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
115
15
17
?
?
?
Gate Charge
(V DS = 20 Vdc, I D = 30 Adc,
V GS = 4.5 Vdc) (Note 3)
Q T
Q 1
Q 2
?
?
?
14.4
4.0
8.5
20
?
?
nC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On ? Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 15 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 30 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 3)
(I S = 15 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
(I S = 30 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s) (Note 3)
V SD
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
?
?
?
0.95
1.10
0.80
30
14.5
15.5
0.013
1.2
?
?
?
?
?
?
Vdc
ns
m C
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD32N06LT4G | MOSFET N-CH 60V 32A DPAK |
| NTD32N06T4G | MOSFET N-CH 60V 32A DPAK |
| NTD3808NT4G | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK |
| NTD3813NT4G | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK |
| NTD3817NT4G | MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD30N02T4G | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTD32 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述:Tape & Reel |
| NTD32N06 | 功能描述:MOSFET 60V 32A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD32N06/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 32 Amps， 60 Volts |
| NTD32N06-001 | 功能描述:MOSFET 60V 32A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。