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参数资料
| 型号： | NTD30N02T4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 31/Mar/2005 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD30N02T4OS |
NTD30N02
2500
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2000
1500
1000
500
C rss
C iss
C oss
C rss
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
25
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
5
4
3
V DS
Q 1
Q T
Q 2
V GS
20
16
12
1000
100
V DS = 20 V
I D = 30 A
V GS = 10 V
t f
t d(off)
2
1
I D = 30 A
V DS = 20 V
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
8
4
10
t d(on)
t r
0
0
4
8
12
16
0
1
1
10
100
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage versus Total Charge
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
DRAIN ? TO ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
15
12
9
6
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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