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参数资料
| 型号： | NTD4813NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.6A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.27W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD4813N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1000
15
900
T J = 25 ° C
13.5
800
700
600
500
C iss
12
10.5
9
7.5
Q T
400
300
200
100
0
0
5
10
C oss
C rss
15
20
25
6
4.5
3
1.5
0
0
Q 1
1 2
3
4
Q 2
5
6
7
I D = 30 A
V DD = 15 V
V GS = 11.5 V
T J = 25 ° C
8 9 10 11 12 13 14 15 16
100
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate--To--Source and Drain--To--Source
Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
10
t r
t d(off)
t d(on)
25
20
15
10
T J = 25 ° C
1
1
t f
10
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
100
5
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE--TO--DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
80
70
60
50
I D = 12 A
40
10
100 m s
30
1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
1 ms
10 ms
dc
100
20
10
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0622022096 | TOOL INSERTION MODULE 4PR RAM |
| 12CX15-D01 | SWITCH LIMIT EXPLOSION PROOF |
| 12CX15 | SWITCH LIMIT EXPLOSION PROOF |
| 252B103A60NA | POT JOYSTICK 10K OHM |
| NTD4810N-1G | MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4815N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4815N-1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4815N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4815N-35G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N 30V 3 I-PAK |
| NTD4815NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
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