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参数资料
| 型号： | NTD4959N-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1456pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4959NH
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
90
5.5 V to 10 V
4.5 V
T J = 25 ° C
80
70
V DS ≥ 10 V
80
70
60
60
50
40
4V
3.8 V
3.6 V
50
40
30
30
20
10
0
0
1
2
3
4
3.4 V
3.2 V
3V
5
20
10
0
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2 3
T J = ? 55 ° C
4
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.015
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 11.5 V
0.006
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5 11.5
0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
I D = 30 A
V GS = 10 V
10000
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.2
1.1
1.0
10
0.9
0.8
0.7
1
T J = 25 ° C
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4959N-1G | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK |
| NTMFS4921NT3G | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL |
| NTD4913N-35G | MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED |
| NTD4913N-1G | MOSFET N-CH 30V 32A IPAK |
| NTD4860NA-35G | MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4959NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4959NH-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4959NH-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4959NHT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4959NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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