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参数资料
| 型号： | NTD5804NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 69A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 69A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 71W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD5804NT4GOSDKR |
NTD5804N, NTDV5804N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
100
90
80
70
10 V
T J = 25 ° C
V GS = 7, 6, 5.8, 5.5, 5.2, 5 V
4.5 V
100
75
V DS ≥ 10 V
60
50
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
4.0 V
3.5 V
3
25
0
2
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
0.021
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.05
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.019
0.017
0.015
0.013
0.011
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.04
0.03
0.02
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
0.009
0.007
0.01
V GS = 10 V
0.005
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1.9
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
1.5
I D = 69 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
100
T J = 100 ° C
0.7
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
2
12
22
32
42
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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