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参数资料
型号： NTD5862NT4G
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 5/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
标准包装： 2,500
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 90A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 5.7 毫欧 @ 45A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 82nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 6000pF @ 25V
功率 - 最大： 115W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： DPAK-3
包装： 带卷 (TR)
其它名称： NTD5862NT4G-ND
NTD5862NT4GOSTR
NTD5862N, NTP5862N
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
1 Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
0.001
SINGLE PULSE
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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PDF描述
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NTD5865NL-1G 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD5865NLT4G 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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