- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录488 > NTD5862NT4G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTD5862NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 82nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 115W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD5862NT4G-ND NTD5862NT4GOSTR |
NTD5862N, NTP5862N
PACKAGE DIMENSIONS
TO ? 220
CASE 221A ? 09
ISSUE AG
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
B
F
T
S
C
? T ?
SEATING
PLANE
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
4
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
Q
A
A
B
C
0.570 0.620
0.380 0.405
0.160 0.190
14.48 15.75
9.66 10.28
4.07 4.82
H
Z
1 2 3
K
U
D
F
G
H
J
K
0.025 0.036
0.142 0.161
0.095 0.105
0.110 0.161
0.014 0.025
0.500 0.562
0.64 0.91
3.61 4.09
2.42 2.66
2.80 4.10
0.36 0.64
12.70 14.27
L
0.045 0.060
1.15 1.52
L
V
G
N
D
R
J
N
Q
R
S
T
U
V
Z
0.190 0.210
0.100 0.120
0.080 0.110
0.045 0.055
0.235 0.255
0.000 0.050
0.045 ---
--- 0.080
4.83 5.33
2.54 3.04
2.04 2.79
1.15 1.39
5.97 6.47
0.00 1.27
1.15 ---
--- 2.04
STYLE 5:
http://onsemi.com
6
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD5865N-1G | MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK |
| NTD5865NL-1G | MOSFET N-CH 60V 40A 16MOHM IPAK |
| NTD5867NL-1G | MOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM IPAK |
| NTD60N02RT4 | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK |
| NTD6414ANT4G | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5865N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 60 V, 38 A, 18 m |
| NTD5865N-1G | 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5865NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 mΩ |
| NTD5865NL-1G | 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5865NLT4G | 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。