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参数资料
| 型号： | NTD5865N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1261pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD5865N-1G-ND NTD5865N-1GOS |
NTD5865N
1600
10
1400
1200
1000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
6
Q gs
Q T
Q gd
800
600
4
400
200
0
C rss
C oss
2
0
V DS = 48 V
I D = 38 A
T J = 25 ° C
0
10 20 30 40 50
60
0
5 10 15 20
25
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source vs. Total Charge
100
V DD = 48 V
I D = 38 A
V GS = 10 V
t d(off)
35
30
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
15
10
1
t f
5
0
1
10
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
100
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
1000
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
100
T C = 25 ° C
10 ms
1 ms
10 m s
10
100 m s
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTD5865NL-1G | 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5865NLT4G | 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5865NT4G | 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5867NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m |
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