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参数资料
型号： NTD5865N-1G
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 5/7页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK
产品目录绘图： MOSFET IPAK-3
标准包装： 75
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 38A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 18 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1261pF @ 25V
功率 - 最大： 52W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： DPAK-3
包装： 管件
其它名称： NTD5865N-1G-ND
NTD5865N-1GOS
NTD5865N
10
1
0.1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t, PULSE TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
NTD5865NL 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 mΩ
NTD5865NL-1G 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD5865NLT4G 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD5865NT4G 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD5867NL 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m
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