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参数资料
| 型号： | NTD5867NLT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 675pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 36W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD5867NLT4GOSDKR |
NTD5867NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
1.0
D = 0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LA-301MB | DISPLAY 7-SEG 8MM 1DIGIT GRN CA |
| LA-301ML | DISPLAY 7-SEG 8MM 1DIGIT GRN CC |
| NTLJF3117PT1G | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN |
| DB1CB1AA | SWITCH SNAP SPDT 5A QC TERM |
| LF-301MA | DISPLAY 7SEG 8MM 1DGT GRN CA SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5N50 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: 制造商:MOTOROLA 功能描述: |
| NTD5N50/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 5 Amps， 500 Volts |
| NTD5N50-001 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTD5N50T4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTD5P06V | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P−Channel DPAK |
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