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参数资料
| 型号： | NTD60N02RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD60N02RT4OSDKR |
NTD60N02R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage (Note 3)
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
V (BR)DSS
25
?
27.5
25.5
?
?
Vdc
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
m Adc
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
?
?
?
?
1.5
10
Gate?Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
I GSS
?
?
± 100
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage (Note 3)
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
V GS(th)
1.0
?
1.5
4.1
2.0
?
Vdc
mV/ ° C
Static Drain?to?Source On?Resistance (Note 3)
R DS(on)
m W
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 15 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 20 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 31 Adc)
?
?
?
11.2
8.4
8.2
12.5
10.5
?
Forward Transconductance (V DS = 10 Vdc, I D = 15 Adc) (Note 3)
g FS
?
27
?
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
1000
1330
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
480
180
640
225
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn?On Delay Time
t d(on)
?
7.0
?
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
(V GS = 10 Vdc, V DD = 10 Vdc,
I D = 31 Adc, R G = 3.0 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
33
19
9.0
?
?
?
Gate Charge
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 31 Adc,
V DS = 10 Vdc) (Note 3)
Q T
Q GS
Q GD
?
?
?
9.5
2.2
5.0
14
?
?
nC
SOURCE?DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On?Voltage
Reverse Recovery Time
(I S = 20 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 3)
(I S = 31 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 15 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
(I S = 31 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s) (Note 3)
V SD
t rr
t a
?
?
?
?
?
0.88
1.15
0.80
29.1
13.6
1.2
?
?
?
?
Vdc
ns
t b
?
15.5
?
Reverse Recovery Stored Charge
Q rr
?
0.02
?
m C
3. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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