- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录488 > NTD60N02RT4 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTD60N02RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD60N02RT4OSDKR |
NTD60N02R
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369AA?01
ISSUE A
NOTES:
?T?
SEATING
PLANE
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
B
C
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
V
R
E
INCHES
DIM MIN MAX
A
0.235 0.245
B
0.250 0.265
MILLIMETERS
MIN MAX
5.97 6.22
6.35 6.73
S
1
4
2
3
A
H
U
Z
C
D
E
F
H
J
0.086 0.094
0.025 0.035
0.018 0.024
0.030 0.045
0.386 0.410
0.018 0.023
2.19 2.38
0.63 0.89
0.46 0.61
0.77 1.14
9.80 10.40
0.46 0.58
L
R
0.090 BSC
0.180 0.215
2.29 BSC
4.57 5.45
F
L
J
S
U
V
Z
0.024 0.040
0.020 ???
0.035 0.050
0.155 ???
0.60 1.01
0.51 ???
0.89 1.27
3.93 ???
D
2 PL
STYLE 2:
PIN 1. GATE
0.13 (0.005)
M
T
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20
0.244
2.58
0.101
3.0
0.118
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD6414ANT4G | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK |
| NTD6415ANLT4G | MOSFET N-CH 100V 23A 56MOHM DPAK |
| NTD6415ANT4G | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK |
| NTD6416AN-1G | MOSFET N-CH 100V 17A IPAK |
| NTD6416ANL-1G | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD60N02RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD60N03 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60A,28V N-CH 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60Amps, 28Volts N-Channel DPAK |
| NTD60N03-001 | 功能描述:MOSFET N-CH 28V 60A IPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD60N03-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts |
| NTD60N03T4 | 功能描述:MOSFET N-CH 28V 60A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。