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参数资料
| 型号： | NTD60N02RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD60N02RT4OSDKR |
NTD60N02R
2000
C iss
T J = 25 ° C
5
Q T
20
1500
V DS = 0 V
V GS = 0 V
4
Q GS
Q DS
V GS
16
1000
500
C rss
C iss
C oss
3
2
1
V DS
12
8
4
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
C rss
15
20
0
0
2
4 6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
I D = 31 A
T J = 25 ° C
8
0
10
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
1000
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate?to?Source and Drain?to?Source
Voltage versus Total Charge
80
V DD = 10 V
I D = 31 A
V GS = 10 V
70
60
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t r
50
40
10
t d(off)
t f
t d(on)
30
20
10
1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
V GS = 20 V
10 m s
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
10
1 ms
10 ms
R DS(ON) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
1
PACKAGE LIMIT
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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参数描述 |
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