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参数资料
| 型号： | NTD6600N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 146 毫欧 @ 6A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.28W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD6600N
TYPICAL CHARACTERISTICS
24
21
18
V GS = 9 V
10 V
4.2 V
5.5 V
4V
3.8 V
T J = 25 ° C
25
20
V DS ≥ 10 V
15
12
3.4 V
15
9
6
3
3V
2.6 V
10
5
T J = 150 ° C
T J = ?55 ° C
T J = 25 ° C
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.4
0.3
0.2
0.1
V GS = 5 V
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
V GS = 10 V
0.06
0
0
4
8
12
16
0.04
0
4
8
12
16
20
24
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
2.5
I D = 12 A
2.25 V GS = 5 V
2.0
1.75
1.5
10000
1000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.25
1.0
0.75
100
T J = 125 ° C
0.5
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTD6600NT4G | 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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