- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录488 > NTD6600N-1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 12A IPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTD6600N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 146 毫欧 @ 6A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.28W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD6600N
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369C?01
ISSUE O
NOTES:
?T?
SEATING
PLANE
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
B
C
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
V
R
E
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
A
B
0.235 0.245
0.250 0.265
5.97 6.22
6.35 6.73
4
A
Z
C
D
E
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
2.19 2.38
0.69 0.88
0.46 0.58
S
1
2
3
K
U
F
G
H
J
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.94 1.14
4.58 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
K
0.102 0.114
2.60 2.89
F
L
D
2 PL
J
H
L
R
S
U
V
Z
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020 ???
0.035 0.050
0.155 ???
2.29 BSC
4.57 5.45
0.63 1.01
0.51 ???
0.89 1.27
3.93 ???
G
0.13 (0.005)
M
T
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20
0.244
2.58
0.101
3.0
0.118
5.80
0.228
1.6
0.063
6 .17 2
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD70N03R-1G | MOSFET N-CH 25V 10A IPAK |
| NTD78N03T4G | MOSFET N-CHAN 25V 78A DPAK |
| NTD80N02-1G | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK |
| NTD85N02R-001 | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK |
| NTD95N02RT4G | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD6600NT4 | 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6600NT4G | 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6N40 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTD6N40/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6 Amps， 400 Volts |
| NTD6N40-001 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。