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参数资料
| 型号： | NTD6600N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 146 毫欧 @ 6A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.28W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD6600N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1500
8
100
1250
C iss
T J = 25 ° C
V DS = 0 V
V GS = 0 V
6
V DS
V GS
90
80
1000
Q T
70
750 C rss
C iss
4
Q 1
60
50
40
500
250
C oss
C rss
2
Q 2
I D = 12 A
T J = 25 ° C
30
20
10
0
10
5
0
5
10
15
20
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
18
1000
V GS V DS
DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
12
V DS = 80 V
I D = 6 A
V GS = 5 V
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t r
t f
t d(off)
t d(on)
8
6
4
2
1
1
10
100
0
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
80
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
70
I D = 12 A
100
T C = 25 ° C
60
10
10 m s
100 m s
1 ms
50
40
30
1.0
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 ms
dc
20
10
0.1
0.1
1.0
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy
versus Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD70N03R-1G | MOSFET N-CH 25V 10A IPAK |
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| NTD80N02-1G | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK |
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| NTD95N02RT4G | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD6600NT4 | 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6600NT4G | 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTD6N40/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6 Amps， 400 Volts |
| NTD6N40-001 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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