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参数资料
| 型号： | NTD78N03-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 78A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD78N03
6000
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
Q T
20
5000
V DS
4000
C iss
6
15
3000
C rss
4
Q 1
Q 2
V GS
10
2000
C iss
2
5
1000
0
10
5
V GS
0
V DS
5
C rss
10
15
20
C oss
25
0
0
5
I D = 20 A
T J = 25 ° C
10 15 20 25 30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
35
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
1000
Figure 7. Capacitance Variation
V DS = 20 V
I D = 20 A
V GS = 4.5 V
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
80
V GS = 0 V
70 T J = 25 ° C
60
100
10
1
t r
t f
t d(off)
t d(on)
50
40
30
20
10
0
1
10
100
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9
1.0
1.1
1.2
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
800
100
10 m s
100 m s
1 ms
700
600
500
I D = 78 A
10
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 ms
dc
400
300
200
100
0
0.1
1
10
100
25
50 75 100 125 150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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