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参数资料
| 型号： | NTD78N03-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 78A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD78N03
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 13. Diode Reverse Recovery Waveform
1000
100
10
DUTY CYCLE
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
MOUNTED TO MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JA (t) = r(t) R q JA
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T A = P (pk) R q JA (t)
0.01
1E?05
1E?04
1E?03
1E?02
1E?01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (seconds)
Figure 14. Thermal Response ? Various Duty Cycles
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD78N03
NTD78N03G
NTD78N03T4
NTD78N03T4G
NTD78N03?1
NTD78N03?1G
NTD78N03?35
NTD78N03?35G
Package
DPAK
DPAK
(Pb?Free)
DPAK
DPAK
(Pb?Free)
DPAK Straight Lead
DPAK Straight Lead
(Pb?Free)
DPAK?3 Straight Lead
(3.5 " 0.15 mm)
DPAK?3 Straight Lead
(3.5 " 0.15 mm)
Shipping ?
75 Units/Rail
75 Units/Rail
2500 Tape & Reel
75 Units/Rail
75 Units/Rail
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTD78N0335G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 78 A, Single Na??Channel, DPAK |
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| NTD78N03G | 功能描述:MOSFET 25V 78A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD78N03R | 功能描述:MOSFET 25V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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