参数资料
型号: NTDV3055L104-1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
标准包装: 75
系列: *
NTD3055L104, NTDV3055L104
ORDERING INFORMATION
Device
NTD3055L104G
NTD3055L104 ? 1G
NTD3055L104T4G
NTDV3055L104 ? 1G
NTDV3055L104T4G
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75 Units / Rail
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2500 / Tape & Reel
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Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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PDF描述
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参数描述
NTDV3055L104T4G 功能描述:MOSFET NFET 60V 12A 0.104R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTDV5804NT4G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 69A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTDV5805NT4G 功能描述:MOSFET NFET 40V 51A 9.5MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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