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参数资料
| 型号： | NTDV3055L104-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | * |
NTD3055L104, NTDV3055L104
SAFE OPERATING AREA
100
70
10
V GS = 15 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 m s
60
50
40
30
I D = 11 A
1
R DS(on) LIMIT
10 ms
dc
20
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
0.1
0.1
1
10
100
0
25
50 75 100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1 0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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