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参数资料
| 型号： | NTE2428 |
| 厂商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Complementary Transistors General Purpose Switch |
| 中文描述： | 硅晶体管通用辅助开关 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | NTE2428 |
NTE310
Integrated Thyristor/Rectifier (ITR)
TV Horizontal Deflection & Trace Switch
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Forward Off–State and Reverse Voltage, V
DRM
, V
RRM
RMS On–State Current, I
TRMSM
, I
FRMSM
Mean On–State Current (T
C
= +80
°
C), I
TAVM
, I
FAVM
Thyristor
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diode
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak On–State Current, I
TRM
, I
FRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Surge Current (t = 10ms, t
vi
= +100
°
C), I
TSM
, I
FSM
Thyristor
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diode
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non–Repetitive Rate of Rise of On–State Current, di/dt
crit
Repetitive Rate of Rise of On–State Current (I
TM
= 20A, t
vi
= +100
°
C, V
DM
= 640V), di/dt
crit
(Pulse Generator Data: v
L
= 8V, i
K
= 0.25A, di
G
/dt
≥
0.25A/
μ
s)
f
o
= 50Hz
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
f
o
= 16kHz
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of Off–State Voltage (t
vi
= +100
°
C, V
D
= 536V), dv/dt
crit
Rate of Rise of Voltage Subsequent to Prior On–State Current, dv/dt
crit
t
vi
= +100
°
C, V
D
= 536V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power Losses (t
g
≤
10
μ
s), P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Mean Gate Power Loss for One Cycle, P
G
Operating Temperature Range, T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
Without Heatsink
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
On Vertical Cooling Fin 60mm x 60mm x 1.5mm, Al or Cu, Roughened Surface
800V
8A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.4A
3.45A
50A
80A
60A
500A/
μ
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
300A/
μ
s
100A/
μ
s
400V/
μ
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
200V/
μ
s
10W
2W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40
°
to +100
°
C
–40
°
to +130
°
C
2.3
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
°
C/W
10
°
C/W
. .
Electrical Characteristics:
Maximum On–State Voltage (t
vi
= +25
°
C, i
T
= i
F
= 10A), V
T
, V
F
Thyristor
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diode
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Threshold Voltage, V
(TO)
Thyristor
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diode
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Slope Resistance, r
T
, r
F
Thyristor
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Diode
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.16V
2.2V
1.6V
1.4V
53
70
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTE243 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR NPN SILICON DARLINGTON 80V IC=8A TO-3 CASE COMP TO NTE244 制造商:NTE Electronics 功能描述:Bulk 制造商:NTE Electronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 80V TO-3 制造商:NTE Electronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN- DARL V- 8 A 制造商:NTE Electronics 功能描述:TO-3 NPN DAR PWR AMP 制造商:NTE Electronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:750; Operating Temperature Min:-65C; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans Darlington NPN 80V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
| NTE2430 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN-SI HI VLTG AMP 制造商:NTE Electronics 功能描述:SOT-89 NPN HV AMP/SW 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 350V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 |
| NTE2431 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:SOT-89 PNP HV AMP/SW 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT PNP 300V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 |
| NTE244 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR PNP SILICON DARLINGTON 80V IC=8A TO-3 CASE POWER AMP COMP'L TO NTE243 制造商:NTE Electronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR PNP -80V TO-3 制造商:NTE Electronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP- DARL 80 V- HFE 300 制造商:NTE Electronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:750; Operating Temperature Min:-65C; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans Darlington PNP 80V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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