参数资料
型号: NTF2955T1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
产品变化通告: Specification Change MSL Updated 2/April/2007
产品目录绘图: MOSFET SOT-223 Pkg
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 185 毫欧 @ 2.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 492pF @ 25V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 标准包装
产品目录页面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: NTF2955T1GOSDKR
NTF2955, NVF2955
100
D = 0.5
0.2
10 0.1
0.05
1
0.1
0.01
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Cu area ? 727 mm 2 , 1 oz. thick traces
10 100 1000
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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参数描述
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