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参数资料
| 型号： | NTF2955T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 2.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 492pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTF2955T1GOSDKR |
NTF2955, NVF2955
100
D = 0.5
0.2
10 0.1
0.05
1
0.1
0.01
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Cu area ? 727 mm 2 , 1 oz. thick traces
10 100 1000
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VERSAFIT-3/16-KT2-REFILL | HEATSHRINK 3/16"X6" 21 PCS |
| 573P3S36 | CONN DUAL MALE-FEMALE 3POS 3' |
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| SH163P72 | EMI/RFI MINI-MIZER STR SGL END |
| 195P5P72 | CABLE STR 5POS MALE-MALE 6' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTF2955T1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTF Series P-Channel 60 V 145 mOhm 2.3 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-223 |
| NTF2955T3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTF2N08/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:80 V Power MOSFET |
| NTF3055-100 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel |
| NTF3055-100T1 | 功能描述:MOSFET 60V 3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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