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参数资料
| 型号： | NTGD1100LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP |
| 产品目录绘图： | MOSFET 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 通用 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 55 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 3.3A |
| 输入电压： | 1.8 V ~ 8 V |
| 工作温度： | -50°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTGD1100LT1GOSDKR |
NTGD1100L
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.400
0.350
0.300
0.250
0.300
0.250
0.200
0.200
0.150
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.150
0.100
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.100
0.050
0.050
0
0
0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50 5.00
0
0
0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50 5.00
I L , (A)
Figure 2. V DROP vs. I L @ V IN = 2.5 V
I L , (A)
Figure 3. V DROP vs. I L @ V IN = 4.5 V
0.48
0.44
0.40
0.36
0.32
0.28
0.24
0.18
0.14
0.10
0.06
0.02
0.50
0.46
0.42
0.38
0.34
0.30
0.26
0.22
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0
1.00
2.00
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
I L = 1.0 A
V ON/OFF = 1.5 to 8.0 V
3.00 4.00 5.00 6.00 7.00
8.00
0.15
0.14
0.13
0.12
0.11
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
? 50
I L = 1.0 A
V ON/OFF = 1.5 to 8.0 V
V IN = 1.8 V
V IN = 5.0 V
? 25 0 25 50 75
100
125
150
V IN , (V)
Figure 4. On Resistance vs. Input Voltage
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On Resistance Variation with
Temperature
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
I L = 1.0 A
V ON/OFF = 1.5 to 8.0 V
V IN = 5.0 V
V IN = 1.8 V
0.7
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
T J , TEMPERATURE JUNCTION ( ° C)
Figure 6. Normalized On Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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