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参数资料
| 型号： | NTGD1100LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP |
| 产品目录绘图： | MOSFET 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 通用 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 55 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 3.3A |
| 输入电压： | 1.8 V ~ 8 V |
| 工作温度： | -50°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTGD1100LT1GOSDKR |
NTGD1100L
TYPICAL CHARACTERISTICS
60
60
55
50
45
40
35
30
I L = 1.0 A
V ON/OFF = 1.5 V
C1 = 10 m F
C0 = 1.0 m F
t f
t d(off)
55
50
45
40
35
30
I L = 1.0 A
V ON/OFF = 3.0 V
C1 = 10 m F
C0 = 1.0 m F
t f
t d(off)
25
25
20
15
t r
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
t d(on)
5
6
7
8
10
5
0
0
1
2
3
4
5
t r
6
t d(on)
7
8
40
R2 (k W )
Figure 7. Switching Variation R2 @
V IN = 4.5 V, R1 = 20 k W
30
R2 (k W )
Figure 8. Switching Variation R2 @
V IN = 4.5 V, R1 = 20 k W
35
25
t f
30
25
t f
t r
20
t d(off)
20
15
10
I L = 1.0 A
V ON/OFF = 1.5 V
C1 = 10 m F
C0 = 1.0 m F
t d(off)
t d(on)
15
10
I L = 1.0 A
V ON/OFF = 3.0 V
C1 = 10 m F
C0 = 1.0 m F
t r
5
5
t d(on)
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
R2 (k W )
Figure 9. Switching Variation R2 @
V IN = 2.5 V, R1 = 20 k W
R2 (k W )
Figure 10. Switching Variation R2 @
V IN = 2.5 V, R1 = 20 k W
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
0.01
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
SQUARE WAVE PULSE DURATION TIME, t (sec)
Figure 11. FET Thermal Response Normalized to R q JA at Steady State (1 inch Pad)
http://onsemi.com
4
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