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参数资料
| 型号： | NTGS3441P |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET() |
| 中文描述： | 功率MOSFET（） |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | NTGS3441P |
NTGS3441P
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
TSOP6
CASE 318G02
ISSUE N
2
3
4
5
6
A
L
1
S
G
D
B
H
C
0.05 (0.002)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
S
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. SOURCE
5. DRAIN
6. DRAIN
MIN
2.90
1.30
0.90
0.25
0.85
0.013
0.10
0.20
1.25
MAX
3.10
1.70
1.10
0.50
1.05
0.100
0.26
0.60
1.55
10
3.00
MIN
0.1142 0.1220
0.0512 0.0669
0.0354 0.0433
0.0098 0.0197
0.0335 0.0413
0.0005 0.0040
0.0040 0.0102
0.0079 0.0236
0.0493 0.0610
0
0.0985
MAX
INCHES
MILLIMETERS
0
10
0.1181
2.50
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES
LEAD FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD
THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS
OF BASE MATERIAL.
4. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD FLASH, PROTRUSIONS, OR GATE
BURRS.
M
J
K
0.95
0.037
1.9
0.075
0.95
0.037
mm
inches
SCALE 10:1
1.0
0.039
2.4
0.094
0.7
0.028
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS3441T1 | Power MOSFET 1 Amp, 20 Volts |
| NTGS3441T1G | Power MOSFET 1 Amp, 20 Volts |
| NTGS3443T1 | Power MOSFET 2 Amp, 20 Volts P-Channel TSOP-6(2A，20V，P通道，TSOP-6封装的功率MOSFET) |
| NTGS3446 | Power MOSFET 5.1 Amps, 20 Volts N-Channel TSOP-6(5.1A,20V逻辑电平,N通道,TSOP-6封装的功率MOSFET) |
| NTGS3455T1 | MOSFET -3.5 Amps, -30 Volts P-Channel TSOP-6(-3.5A，-30V，P通道，TSOP-6封装的MOSFET) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS3441P_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -3.16 A, Single P-Channel TSOP-6 |
| NTGS3441PT1G | 功能描述:MOSFET PFET 20V 3.1A .1MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3441T1 | 功能描述:MOSFET 20V 1A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3441T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 1 Amp， 20 Volts |
| NTGS3441T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 1 Amp, 20 VoltsP−Channel TSOP−6 |
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