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参数资料
| 型号： | NTGS3446T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET 6-TSOP |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTGS3446T1OSCT |
NTGS3446
1400
1200
1000
800
600
V DS = 0 V
C iss
C rss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
C iss
5
4
3
2
? V DS
Q gs
Q gd
Q T
? V GS
I D = 5.1 A
T J = 25 ° C
15
12
9
6
400
200
C oss
1
3
0
? 10
? 5.0
0
5.0
10
C rss
15
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
8
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage versus Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 5.1 A
V GS = 4.5 V
V f
6
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
V r
V d(off)
V d(on)
3
2
1
1
0
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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