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参数资料
| 型号： | NTGS3447PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1053pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGS3447P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
20
16
V GS = -4.5 V
-2.5 V
T J = 25 ° C
-2 V
20
15
V DS = 5 V
12
-1.8 V
10
8
4
-1.5 V
5
T J = 25 ° C
0
0
T J = 125 ° C
T J = -55 ° C
0
1
2
3
4
5
0.5
1
1.5
2
2.5
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.14
0.12
I D = -4.7 A
T J = 25 ° C
0.10
0.09
0.08
T J = 25 ° C
-1.8 V
-2 V
0.10
0.07
0.08
0.06
0.04
0.02
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
V GS = -2.5 V
V GS = -4.5 V
0.00
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.00
0
4
8
12
16
20
1.5
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
1600
-I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.4
I D = -4.7 A
V GS = -4.5 V
1400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
1.3
1.2
1.1
1200
1000
800
1
0.9
0.8
600
400
200
C oss
C rss
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
12
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS3455T1 | MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP |
| NTGS4111PT2G | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| NTGS4141NT1G | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP |
| NTGS5120PT1G | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP |
| NTHC5513T1 | MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS3455T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3455T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:MOSFET -3.5 Amps， -30 Volts |
| NTGS3455T1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET -3.5 Amps, -30 Volts |
| NTGS3455T1G | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS4111P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6) |
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