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参数资料
| 型号： | NTGS4111PT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 630mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGS4111P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
12
11
? 10V
? 4.5 V ? 4.2 V
? 4 V
12
11
V DS ≥ ? 10 V
10
9
8
7
6
5
4
? 5 V
? 6 V
? 5.5 V
? 8 V
? 3.8 V
? 3.6 V
? 3.4 V
10
9
8
7
6
5
4
100 ° C
3
2
1
0
0
0.4
0.8
1.2
T J = 25 ° C
1.6 2 2.4
2.8
3.2
? 3.2 V
? 3 V
3.6
4
3
2
1
0
1
1.5
25 ° C
2
2.5
T J = ? 55 ° C
3 3.5 4
4.5
5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.1
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.2
T J = 25 ° C
I D = ? 3.7 A
T J = 25 ° C
V GS = ? 4.5 V
0.05
0.1
V GS = ? 10 V
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2.0
3.0
4.0
? V GS, GATE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.5
I D = ? 3.7 A
V GS = ? 10 V
100000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
10000
1.0
1000
T J = 100 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS4141NT1G | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP |
| NTGS5120PT1G | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP |
| NTHC5513T1 | MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
| NTHD2102PT1G | MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET |
| NTHD2110TT1G | MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS4141N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6 |
| NTGS4141NT1 | 功能描述:MOSFET 30V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS4141NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS4141NT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTGS Series N-Channel 30 V 21.5 mOhm 1 W Surface Mount Power MOSFET - TSOP-6 |
| NTGS5120P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −60 V, −2.9 A, Single P−Channel, TSOP−6 |
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