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参数资料
| 型号： | NTGS4111PT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 630mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGS4111P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
C iss
C rss
T J = 25 ° C
C iss
12
10
8
6
4
V DS
Q GS
Q GD
QT
V GS
20
10
T J = 25 ° C
300
200
100
0
10
V DS = 0 V
5
? V GS
0
C oss
V GS = 0 V
5 10
? V DS
C rss
15
20
25
30
2
0
0
1
2
I D = ? 3.7 A
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
? GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
10
V GS = 0 V
10
100 m s
T J = 150 ° C
1
V GS = ? 20 V
SINGLE PULSE
1 ms
10 ms
1
T J = 100 ° C
0.1
0.01
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.9 1.0
1.1
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
Single Pulse
0.0001
1E ? 07
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 11. FET Thermal Response
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTGS4141NT1 | 功能描述:MOSFET 30V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS4141NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS4141NT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTGS Series N-Channel 30 V 21.5 mOhm 1 W Surface Mount Power MOSFET - TSOP-6 |
| NTGS5120P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −60 V, −2.9 A, Single P−Channel, TSOP−6 |
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