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参数资料
| 型号： | NTHC5513 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET(功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | NTHC5513 |
NTHC5513
http://onsemi.com
9
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET
CASE 1206A03
ISSUE E
B
S
C
D
G
L
A
1
2
3
4
8
7
6
5
M
J
K
1
2
3
4
8
7
6
5
DIM
A
B
C
D
G
J
K
L
M
S
MIN
2.95
1.55
1.00
0.25
MAX
3.10
1.70
1.10
0.35
MIN
0.116
0.061
0.039
0.010
MAX
0.122
0.067
0.043
0.014
INCHES
MILLIMETERS
0.65 BSC
0.10
0.28
0.55 BSC
5 NOM
0.025 BSC
0.004
0.011
0.022 BSC
5 NOM
0.072
0.20
0.42
0.008
0.017
1.80
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM
PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN
HORIZONTAL AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED
0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE
BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND
BOTTOM LEAD SURFACE.
7. 1206A01 AND 1206A02 OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 1206A03.
0.05 (0.002)
2.00
0.080
STYLE 2:
PIN 1. SOURCE 1
2. GATE 1
3. SOURCE 2
4. GATE 2
5. DRAIN 2
6. DRAIN 2
7. DRAIN 1
8. DRAIN 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTHC5513T1G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTHC60AA3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Crystal Clock Oscillator |
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