- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHD3100CT3G (ON Semiconductor)MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHD3100CT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 165pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD3100C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction ? to ? Ambient ? Steady State (Note 2)
Junction ? to ? Ambient ? t ≤ 10 s (Note 2)
Symbol
R q JA
R q JA
Max
113
60
Unit
° C/W
° C/W
2. Surface ? mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
N/P
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS (Note 3)
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
V (BR)DSS
I DSS
N
P
N
P
V GS = 0 V
V GS = 0 V, V DS = 16 V
V GS = 0 V, V DS = ? 16 V
I D = 250 m A
I D = ? 250 m A
T J = 25 ° C
20
? 20
1.0
? 1.0
V
m A
N
P
V GS = 0 V, V DS = 16 V
V GS = 0 V, V DS = ? 16 V
T J = 125 ° C
5.0
? 5.0
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
N
V DS = 0 V, V GS = ± 12 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
P
V DS = 0 V, V GS = ± 8.0 V
± 100
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
N
P
V GS = V DS
I D = 250 m A
I D = ? 250 m A
0.6
? .45
1.2
? 1.5
V
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
N
P
N
P
V GS = 4.5 V , I D = 2.9 A
V GS = ? 4.5 V , I D = ? 3.2 A
V GS = 2.5 V , I D = 2.3 A
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 2.2 A
58
64
77
85
80
80
115
110
m W
Forward Transconductance
g FS
N
V DS = 10 V, I D = 2.9 A
6.0
S
CHARGES AND CAPACITANCES
P
V DS = ? 10 V , I D = ? 3.2 A
8.0
Input Capacitance
C ISS
N
V DS = 10 V
165
pF
P
V DS = ? 10 V
680
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
N
P
N
f = 1 MHz, V GS = 0 V
V DS = 10 V
V DS = ? 10 V
V DS = 10 V
80
100
25
P
V DS = ? 10 V
70
Total Gate Charge
Q G(TOT)
N
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 2.9 A
2.3
nC
P
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V, I D = ? 3.2 A
7.4
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Gate Charge
Gate ? to ? Drain “Miller” Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
N
P
N
P
N
P
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 2.9 A
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V, I D = ? 3.2 A
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 2.9 A
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V, I D = ? 3.2 A
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 2.9 A
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V, I D = ? 3.2 A
0.2
0.6
0.4
1.4
0.7
2.5
3. Pulse Test: pulse width v 250 m s, duty cycle v 2%.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD3101FT3G | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET |
| NTHD3102CT1G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| NTHD3133PFT3G | MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET |
| NTHD4102PT3G | MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET |
| NTHD4401PT3G | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD3100F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTHD3101F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
| NTHD3101FT1 | 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3101FT1G | 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3101FT3 | 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。