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参数资料
| 型号： | NTHD3100CT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 165pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD3100C
TYPICAL N ? CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
8
6
V GS = 5 V to 3 V
V GS = 2.4 V
2.2 V
2V
T J = 25 ° C
8
6
V DS ≥ 10 V
4
1.8 V
4
2
1.6 V
2
T C = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
6
1.4 V
7
8
9
10
0
0
0.5
25 ° C
1
1.5
100 ° C
2
2.5
3
0.15
0.1
0.05
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
I D = 2.9 A
T J = 25 ° C
0.1
0.07
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0
0
1
2
3
4
5
6
0.04
1
3
5
7
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.7
1.5
1.3
I D = 2.9 A
V GS = 4.5 V
100
V GS = 0 V
T J = 100 ° C
10
1.1
0.9
0.7
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD3101FT3G | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTHD3100F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTHD3101F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
| NTHD3101FT1 | 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3101FT1G | 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3101FT3 | 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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