型号: | NTHD4401P |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
英文描述: | Power MOSFET 20 V, Dual P-Channel, 2.1 A(2.1A,20V,双P通道的功率MOSFET) |
中文描述: | 功率MOSFET 20,双P V型频道,2.1(2.1A,20V的,双P通道的功率MOSFET的) |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 74K |
代理商: | NTHD4401P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NTHD4P02F | Power MOSFET and Schottky Diode |
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NTHD4P02FT1G | Power MOSFET and Schottky Diode |
NTHD5902T1 | Power MOSFET Dual N-Channel ChipFET TM(双N沟道ChipFET TM功率MOSFET) |
NTHD5903T1 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT01; No. of Contacts:4; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Body Style:Straight |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NTHD4401P/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Powe MOSFET 20 V Dual P Channel 2.1 A ChipFET? |
NTHD4401P_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel, ChipFET |
NTHD4401PT1 | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTHD4401PT1G | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTHD4401PT3 | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |