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参数资料
| 型号： | NTHD4401PT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET ChipFET |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 155 毫欧 @ 2.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTHD4401PT3GOSDKR |
NTHD4401P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
600
500
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1000
400
300
C rss
100
T J = 100 ° C
200
100
C oss
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
10
5
0
?V GS ?V DS
5
10
15
20
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
Figure 8. Capacitance Variation
6
12
100
5
4
?V DS
QT
10
8
t f
t d(off)
?V GS
t r
3
6
10
2
Q1
Q2
4
t d(on)
V DD = ?16 V
1
0
I D = ?2.1 A
T J = 25 ° C
2
0
1
I D = ?2.1 A
V GS = ?4.5 V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
2.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2
1.5
1
0.5
0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
0.3
0.5
0.7
0.9
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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