参数资料
型号: NTJD2152PT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
标准包装: 10,000
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 775mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫欧 @ 570mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 225pF @ 8V
功率 - 最大: 270mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 带卷 (TR)
NTJD2152P
ORDERING INFORMATION
Device Order Number
NTJD2152PT1
NTJD2152PT1G
NTJD2152PT2
NTJD2152PT2G
NTJD2152PT4
NTJD2152PT4G
Package Type
SOT ? 363
SOT ? 363
(Pb ? Free)
SOT ? 363
SOT ? 363
(Pb ? Free)
SOT ? 363
SOT ? 363
(Pb ? Free)
Tape and Reel Size ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
10,000 / Tape & Reel
10,000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifi-
cations Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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