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参数资料
| 型号： | NTJD4152PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-363 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 880mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 260 毫欧 @ 880mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 155pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 272mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTJD4152PT1GOSDKR |
NTJD4152P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1
0.75
? 2 V
V GS = ? 4.5, ? 3.5 & ? 2.5 V
T J = 25 ° C
? 1.75 V
1
0.9
0.8
0.7
V DS ≥ ? 20 V
0.6
0.5
0.5
0.25
? 1.5 V
0.4
0.3
0.2
125 ° C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
? 1.25 V
? 1 V
2
0.1
0
0
25 ° C
0.5
1
T J = ? 55 ° C
1.5 2
2.5 3
3.5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.3
0.25
0.2
V GS = ? 4.5 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2.5
2.0
1.5
1.0
T J = 25 ° C
V GS = ? 1.8 V
0.15
T J = ? 55 ° C
0.5
V GS = ? 2.5 V
0.1
0
0.25
0.5
0.75
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
V GS = ? 4.5 V
0.8
0.9
1
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
I D = ? 0.88 A
V GS = ? 4.5 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1000
100
T J = 125 ° C
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJD4158C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 30 V/−20 V, +0.25/−0.88 A, Complementary, SC−88 |
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