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参数资料
| 型号： | NTJD4152PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-363 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 880mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 260 毫欧 @ 880mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 155pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 272mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTJD4152PT1GOSDKR |
NTJD4152P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
350
300
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
QT
250
200
C rss
3
150
2
Q1
Q2
100
50
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
C oss
15
20
1
0
0
0.4
I D = ? 0.88 A
T J = 25 ° C
0.8 1.2 1.6 2
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
0.5
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
0.4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t r
t d(on)
0.3
0.2
t f
V DD = ? 10 V
I D = ? 0.8 A
V GS = ? 4.5 V
0.1
1
1
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
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PDF描述 |
|---|---|
| B32521E6104K | FILM CAP 0.1000UF 10% 400V |
| B32520C3154K | FILM CAP 0.1500UF 10% 250V |
| B81123C1682M | CAP FILM 6800PF 3KVDC RADIAL |
| 34ASP53B4V2QT | TOG MINI SPDT O-O-O N VB LF |
| FDG6301N | MOSFET N-CHAN DUAL 25V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJD4158C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 30 V/−20 V, +0.25/−0.88 A, Complementary, SC−88 |
| NTJD4158CT1G | 功能描述:MOSFET PFET 20V .88A 1OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4158CT2G | 功能描述:MOSFET PFET 20V .88A 1OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4401N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection |
| NTJD4401N_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection |
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