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参数资料
| 型号： | NTJD4158CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA，880mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 33pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTJD4158CT1GOSDKR |
NTJD4158C
TYPICAL N ? CHANNEL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
50
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
Q G
40
C iss
4
30
20
C rss
C iss
3
2
Q GS
Q GD
10
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
C oss
C rss
25
1
0
0
I D = 0.1 A
T J = 25 ° C
0.2 0.4 0.6 0.8
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
1
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
1000
V DD = 5.0 V
I D = 0.25 A
V GS = 4.5 V
0.1
0.08
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0.06
100
t f
t r
t d(off)
0.04
0.02
t d(on)
10
1
10
100
0
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTJD4401NT1G | MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363 |
| NTJD5121NT2G | MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363 |
| NTJS3151PT1G | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
| NTJS3157NT4G | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 |
| NTJS4151PT1 | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJD4158CT2G | 功能描述:MOSFET PFET 20V .88A 1OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4401N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection |
| NTJD4401N_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection |
| NTJD4401N_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection |
| NTJD4401NT1 | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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