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参数资料
| 型号： | NTJS4151PT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTJS4151PT1OSCT |
NTJS4151P
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J =25 ° C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
? 20
V
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = ? 250 m A
? 12
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = ? 16 V,
V DS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
? 1.0
? 5.0
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 4.5 V
V DS = 0 V, V GS = ± 12 V
± 1.5
± 10
m A
mA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
Negative Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH)
V GS(TH) /T J
V GS = V DS , I D = ? 250 m A
? 0.40
4.0
? 1.2
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 3.3 A
47
60
m W
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 2.3 A
V GS = ? 1.8 V, I D = ? 1.0 A
70
180
85
205
Forward Transconductance
g FS
V GS = ? 10 V, I D = ? 3.3 A
12
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C ISS
850
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = ? 10 V
160
110
Total Gate Charge
Q G(TOT)
10
nC
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q GS
Q GD
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V,
I D = ? 3.3 A
1.5
2.8
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
0.85
m s
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 10 V,
I D = ? 1.0 A, R G = 6.0 W
1.7
2.7
4.2
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
V SD
t RR
T a
T b
Q RR
V GS = 0 V, I S = ? 1.3 A,
T J = 25 ° C
V GS = 0 V, dI S /dt = 100
A/ m s,
I S = ? 1.3 A
? 0.75
63
9.0
54
0.23
? 1.2
V
ns
nC
2. Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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