参数资料
型号: NTLJD2104PTBG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN
产品变化通告: Product Obsolescence 01/Jul/2009
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫欧 @ 3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 467pF @ 6V
功率 - 最大: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-WDFN(2x2)
包装: 带卷 (TR)
NTLJD2104P
TYPICAL CHARACTERISTICS
800
700
600
500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
3
? V DS
Q T
? V GS
8
6
400
300
200
100
C oss
C rss
2
1
Q GS
Q GD
V DS = ? 6 V
I D = ? 3 A
T J = 25 ° C
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
1
2
3
4
5
6
0
1000
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 6 V
I D = ? 3 A
100
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
T J = 150 ° C
100
t d(off)
t f
10
T J = 25 ° C
t r
10
t d(on)
1
1
1
10
100
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.8
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
30
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I D = ? 250 m A
25
20
15
10
5
*See Note 2 on Page 1
0.2
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
5
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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