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参数资料
| 型号： | NTLJD2104PTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 467pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD2104P
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
1
0.1
V GS = ? 8 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
*See Note 2 on Page 1
100 m s
1 ms
10 ms
dc
0.01
0.1
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1000
*See Note 2 on Page 1
100
10
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
Single Pulse
1E ? 06 1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 14. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLJD2105LTBG | MOSFET LOAD SW 8V 4.3A 6-WDFN |
| NTLJD3115PTAG | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN |
| NTLJD3119CTBG | MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN |
| NTLJD3181PZTBG | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN |
| NTLJD3182FZTBG | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJD2105L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER MOSFET 8 V, 4.3 A, uCool High Side Load Switch with Level Shift, 2x2 mm WDFN Package |
| NTLJD2105LTBG | 功能描述:MOSFET 8 V-4.3A HS LOADSW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3115P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTLJD3115PT1G | 功能描述:MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3115PTAG | 功能描述:MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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