- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录490 > NTLUF4189NZTAG (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTLUF4189NZTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 95pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUF4189NZ
MOSFET Electrical Characteristic s (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
SWITCHING CHARACTERISTICS, VGS = 4.5 V (Note 6)
Turn-On Delay Time
t d(ON)
7.0
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 4.5 V, V DD = 15 V,
I D = 1A, R G = 6 W
4.5
10.2
1.2
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 1A
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
0.8
0.75
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
10.5
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, dI SD /dt = 100 A/ m s,
I S = 1 A
8.9
1.6
Reverse Recovery Charge
Q RR
2.1
nC
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Maximum Instantaneous Forward
Voltage
Symbol
V F
Test Condition
I F = 10 mA
I F = 100 mA
Min
Typ
0.27
0.36
Max
0.37
0.46
Units
V
I F = 500 mA
0.52
0.62
Maximum Instantaneous
Reverse Current
I R
V R = 10 V
V R = 30 V
2.0
20
10
200
m A
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 85 ° C unless otherwise specified)
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
V F
I F = 10 mA
I F = 100 mA
0.2
0.3
V
I F = 500 mA
0.51
Maximum Instantaneous
Reverse Current
I R
V R = 10 V
V R = 30 V
80
525
m A
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 125 ° C unless otherwise specified)
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
V F
I F = 10 mA
I F = 100 mA
0.14
0.27
V
I F = 500 mA
0.51
Maximum Instantaneous
Reverse Current
I R
V R = 10 V
V R = 30 V
600
3000
m A
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Capacitance
C
V R = 5 V, f = 1.0 MHz
6.0
pF
3.
4.
5.
6.
Surface-mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq [2 oz] including traces)
Surface-mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size of 30 mm 2 , 2 oz. Cu.
Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%
Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLUS3192PZTBG | MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN |
| NTLUS3A18PZTBG | MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN |
| NTLUS3A39PZTBG | MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN |
| NTLUS3A40PZTBG | T4 20/8 PCH 2X2 UDFN SING |
| NTLUS3A90PZTBG | POWER MOSFET 20V 3A 60 MO UDFN6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLUF4189NZTBG | 功能描述:MOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3192PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Cool Single P−Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUS3192PZTAG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 3.4A 85 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3192PZTBG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 3.4A 85 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3A18PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??8.2 A, Single Pa??Channel, 2.0x2.0x0.55 mm Cool UDFN Package |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。